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角 博文

Portrait

所属・連絡先

特任研究員
東京大学 情報理工学系研究科 創造情報学専攻
〒 113-8656 文京区本郷 7-3-1 (工学部6号館230号室)
TEL: 03-5841-6937(研究室)
FAX: 03-5841-6952
E-Mail: Hirofumi_Sumi

略歴

1985年4月~1988年3月

ソニー株式会社半導体事業本部研究部プロセス研究課配属:多層配線技術を含むCMOSデバイスの研究開発。

1988年4月~1997年12月

CMOSデバイスを開発。特に配線とSiとのオーミックコンタクト技術、自己整合的にSilicideを形成させるSALICIDEプロセスを研究開発。

1998年1月~2005年12月

イメージセンサ事業部:ソニーで最初のCMOSイメージセンサ(CIS)を開発、商品化した。特に埋め込みフォトダイオードタイプのCISを開発。

2006年1月~2008年3月

モバイル用低消費電力完全プログラマブルマルチコアイメージプロセッサFIESTAを開発。512GOPSを実現した。

2006年4月~2009年3月

早稲田大学大学院情報生産システム研究科客員教授

CMOSイメージセンサにおけるRTSノイズメカニズム関する共同研究を実施した。

2008年3月~2013年1月

ソニー(株)イメージセンサ事業部 CMOSイメージセンサ技術関連全般の戦略的特許活動を実施した。

2013年2月~5月

東京大学VDEC 協力研究員 フォトダイオードシミュレータの考察を行った。

2013年5月~2015年7月

台湾セミコンダクタマニュファクチュアリング(株)R & D部門 CMOSイメージセンサの高画質化技術の開発。

2015年11月~

国立研究開発法人・科学技術推進機構 戦略研究推進部

ACCEL FSのプログラムマネージャ従事

2015年12月~

東京大学情報理工学系研究科石川・渡辺研究室 特任研究員

受賞

ソニー社内表彰
1990年: 半導体事業部長賞 in Semiconductor group in Sony: Development of SALICIDE technology
2000年: President Award in Semiconductor group: Development of CMOS image sensor with buried photo diode
2001年: Sony corporation six sigma president awards: Noise analyzing of CMOS image sensor
2002年: Sony corporation six sigma president awards: Development of low noise CMOS image sensor

1998年: ソニー(株)特許表彰1級 (JP) No2737946
2009年: ソニー(株)特許表彰1級 (US)No.US09/499449

発表文献

研究論文(査読論文)

  • Hirofumi Sumi, T. Yanagida, H. Yamada, Y. Miyamori, Y. Sugano, S. Kishida and H. Tokutaka: “Optimization of Contact Process with Monte-Caelo Study for Advanced CMOS Devices”:Jpn. J. Appl. Phys. Vol.35(1996)pp. 1120-1125
  • H. Sumi, H. Inoue, Y. Sugano, N. Ikeda, S. Kishida, H. Tokutaka and J. N. Sasserath: “Optimization of contact process with monte carlo study for advanced CMOS devices” Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 35(1996) pp.1120-1125
  • H. Sumi, H. Inoue, M. Taguchi, N. Ito, S. Kishida and H. Tokutaka: “コリメータスタッパ法で形成したTiN膜の特性” 真空誌 第38卷第3号(1995), pp.335-338
  • H. Sumi, T. Yanagida, Y. Sugano, Y. Ikeda, S. Kishida and H. Tokutaka: “Arイオンソフトエッチングを用いら微細接続孔内の自然酸化膜除去効果” 真空誌 第39卷 第10号(1996), pp497-503
  • H. Sumi, H. Ionoue, M. Taguchi, Y. Sugano, H. Masuya, . Ito, S. Kishida and H. Tokutaka: “Characteristics of sputtered TiN Films by optimized condition of metallic mode deposition”: Jpn. J. Appl. Phys. Vol.36 (1997) pp 595-600
  • 菅野幸保、角博文: “大粒径Al-Si-Cu配線の信頼性” 信学技法SSD86-69, 1986, pp79-84
  • 宮本孝章, 角博文, 菅野幸保:”ECR CVD Tiの成膜特性とコンタクト形成”信学技法Vol.93 No.457, SDM93-193, pp23-29
  • K. Nishimori, H. Tokutaka, H. Sumi and N. Isihara: “Pt 基板上におけるSi蒸着膜のシリサイド化反応” 真空 第34卷第3号(1991) pp143-146
  • Kazuya Yonemoto and Hirofumi Sumi: “A numerical analysis of a CMOS image sensor with a simple fixed-pattern noise reduction technology” IEEE trans. Electron Devices, Vol 49 pp746-753, May 2002
  • Kazuya Yonemoto and Hirofumi Sumi; A CMOS image sensor with a small fixed pattern noise reduction technology and a hole accumulated diode; IEEE Journal of solid state circuits conference, Vol. 35, pp 2038-2043, December 2000
  • K. Mabuchi, N. Nakamura, E. Funatsu, T. Abe, T. Umeda, T. Hoshino, R. Suzuki and H. Sumi: “CMOS image sensors comprised of floating diffusion driving pixels with buried photodiode” Solid-State Circuits, IEEE Journal of Year: 2004, Volume: 39, Issue: 12 Pages: 2408 - 2416
  • M. Sakakibara, S. Kawahito, D. Handoko, N. Nakamura, H. Satoh, M. Higashi, K. Mabuchi and H. Sumi: “A high-sensitivity CMOS image sensor with gain-adaptive column amplifiers” Solid-State Circuits, IEEE Journal of Year: 2005, Volume: 40, Issue: 5 Pages: 1147 - 1156

口頭発表(査読論文)

  • Hirofumi Sumi, Toshiharu Yanagida, Yukiyasu Sugano, Jay.N Sasserath: New contact process using soft etch for stable Ohmic characteristics and its application to 0.1micron CMOS devices, IEDM Tech. Dig.,pp113-116, December 1994
  • Hirofumi Sumi, Toshiyuki Nishihara, Yukiyasu Sugano, Haruko Masuya, Masao Takasu: New silicidation technology by SITOX(silicidation through oxide) and its impact on the sub-half micron; MOS devices, IEDM Tech. Dig., pp249-252, December 1990
  • Hirofumi Sumi, T. Yanagida, H. Yamada, Y. Miyamori, Y. Sugano, S. Kishida and H. Tokutaka: “Optimization of Contact Process with Monte-Carlo Study for Advanced CMOS Devices”:International conference on Solid State Devices and Materials (SSDM) Extended Abstract 1995
  • H. Sumi, T Yanagida, H. Kenmotsu, Y Sugano, J. Sasserath, S. Kishida and H. Tokutaka: “ Monte-Carlo Study of Optimized Contact Process with ICP Soft Etch and Its Application to Advanced CMOS Devices”: IEEE International Workshop on Advanced LSI’s 1995 (Technical report of IEICE) pp125-131
  • H Sumi, H. Inoue, Y. Sugano, N. Ito, S. Kishida and H. Tokutaka: “Optimized Characteristics of Sputtered TiN Films by Metallic Mode Deposition” Solid Surfaces (1995) Proceeding P.359
  • Y. Sugano, S. Minegishi, H. Sumi and M. Itabashi: “In-situ observation and formation mechanism of aluminum voiding” IEEE International Reliability physics symposium(IRPS) (1988) Proc., pp34-38
  • J. N. Sasserath, M. Namoriff, T. Yanagida, H. Sumi and Y. Sugano: “Reduction of electrical damage and particle contamination using ICP soft etch for pre0merallzation cleaning of advanced MOS devices” VLSI multilevel interconnection conference(VMIC)(1994) Proc., p312
  • H. Sumi, H. Inoue, Y. Sugano, N. Ito, S. Kishida and H. Tokutaka: EM5-WeA-7 “Optimized Characteristics of Sputtered TiN Films by Metallic Mode Deposition” 13th International Vacuum Congress/9th International Conference on Solid Surface Vol 38, Yokohama 1995, September, p359
  • J. Suenaga, H. Sumi, K. Tajima, A Horiuchi, M. Kanno and Y. Okamoto:” Advanced Ti SALICIDE technology for high performance quarter micron Logic LSIs” Extended abstracts of international conference on solod state devices and materials(SSDM) (1995) pp139-141
  • Kazuya Yonemoto, Hirofumi Sumi, Ryoji Suzuki and Takahisa Ueno; A CMOS image sensor with simple FPN-reduction technology and a hole accumulated diode, IEEE, Inter national solid state circuits conference; vol XLIII, pp 102-103, February 2000
  • Toshinobu Sugiyama, Shinichi Yoshimura, Ryoji Suzuki and Hirofumi Sumi: “A 1/4 inch QVGA color imaging and 3-D sensing CMOS sensor with analog frame memory”; IEEE, International solid state circuits conference, Vol XLV p434-435, February 2002
  • Shoji Kawahito, Masaki Sakakibara Dwi Handoko, Nobuo Nakamura Hiroki Sato, Mizuho Higashi, Keiji Mabuchi and Hirofumi Sumi; “A column based pixel gain adaptive CMOS image sensor for low light level imaging” IEEE Inter national solid state circuits conference, vol VI, p224-225 February 2003
  • Keiji Mabuchi, Nobuo Nakamura, Eiichi Funatsu, Takasih Abe, Tomoyuki Umeda, Tetsuro Hoshino, Ryoji Suzuki and Hirofumi Sumi; “CMOS image sensor using floating diffusion driving buried photodiode”, IEEE International solid state circuits conference, Vol. XL VII p112-113 February 2004
  • Hirofumi Sumi: “Characterization of Image sensor”, IEEE International Solid State Circuits Conference Forum, 2005. Digest of Technical Papers. ISSCC 2005 Feb. 6-10, 2005
  • Masaki Sakakibara, Shoji Kawahito, Dwi Handoko, Nobuo Nakamura Hiroki Sato, Mizuho Higashi, Keiji Mabuchi and Hirofumi Sumi; “A high-sesitivity CMOS image sensor with gain-adaptive column amplifiers” IEEE Journal of Solid State Circuits, vol 40, pp. 1147-1156, May 2005
  • Abbas EL Gamal and Hirofumi Sumi; “Seeion 19 overview Imagers, IEEE International solid state circuits conference” 2005. ISSCC 2005, Digest of Technical Papers. IEEE International 2005 pp344-345, Feb. 2005
  • Johannes Solhusvik and Hirofumi Sumi: “Image Sensors”Solid-State Circuits Conference, 2007. ISSCC 2007. Digest of Technical Papers. IEEE International 2007 pp498 - 499, Feb. 2007
  • N Yamashita, F. Nielsen and H Sumi; A fast and robust precision mosaicing system for Giga pixel images; Proceeding of the first international symposium on Information and computer elements (ISICE2007) p190-195, September 12-14 2007
  • K. Hoshino, H. Sumi and H Nishimura: “Noise Detection and Reduction for Image Sensor by Time Domain Autocorrelation Function Method” Industrial Electronics, 2007. ISIE 2007. IEEE International Symposium on Year: 2007 pp1737 - 1740
  • Sumito Arakawa, Yuji Yamaguchi, Satoshi Akui, Yasushi Fukuda, Hiroshi Hayashi, Masahiro Igarasi, Kei Ito, Hidetoshi Nagano, Masatoshi Imai, Hirofumi Sumi and Naosuke Asari; ”A 512GOPS fully programmable digitalImage processor with Full HD 1080p processing capabilities” ISSCC Dig. Tech papers pp312-313, Feb 2008
  • Hirofumi Sumi, Sumito Arakawa, Yuji Yamaguchi, Satoshi Akui, Yasushi Fukuda, Hiroshi Hayashi, Masahiro Igarasi, Kei Ito, Hidetoshi Nagano, Masatoshi Imai and Naosuke Asari Fully Programmable Digital Image Processor with Full HD 1080p processing capabilities; Cool chips 11 Tech papers April 2008
  • Deng Zhang, *Hiroaki Ammo, Jegoon Ryu, *Hirofumi Sumi and Toshi Hiro Nishimura: “A Modeling and Evaluation of the Random Telegraph Signal Noise on a CMOS Image Sensor in Motion Pictures” 2009 INTERNATIONAL IMAGE SESOR WORKSHOP June 26-28, 2009, Bergen, Norway
  • Y. Yamashita, W.H. Wu, W.J. Chiang, C.H. Chung, R.J. Lin, J.J. Sze, J.C. Liu, C. H. Tseng, H. Sumi and, S.G. Wuu: “The source decomposition of Dark FPN and its improvement by Stacked CIS process” 2015 INTERNATIONAL IMAGE SESOR WORKSHOP June 8-11, 2015, Vaals, The Netherlands
  • T. Arai , T. Yasue , K. Kitamura , H. Shimamoto , T. Kosugi , S. Jun , S. Aoyama , M-C. Hsu , Y. Yamashita3 , H. Sumi , S. Kawahito: “A 1.1µm 33Mpixel 240fps 3D-Stacked CMOS Image Sensor with 3-Stage Cyclic-Based Analog-to-Digital Converters” ISSCC Dig. Tech papers pp312-313, Feb 2016 (To be presented in Feb, 2016)

総説(総評 招待講演)

  • 角博文、菅野幸保: “新しいシリサイド技術” プレスジャーナル誌 月間Semiconductor World (1991年 6月号) pp44-48
  • H. Sumi: “ Special Seminar, Challenges for 0.25micron Technology”, MTL lab, Massachusetts Institute of Technology(MIT) Special Seminar (1994. Dec) Boston, USA
  • H. Sumi: “Low-noise Imaging System with CMOS Sensor for High-Quality Imaging”International Electron Devices Meeting, 2006. Technical Digest, Dec. 2006 pp1 - 4
  • H. Sumi: “Overview of CMOS Imaging Technology” Optoelectronics and Photonics Applications for Consumers Forum, April 3-4, 2007 -Doubletree San Jose
  • H. Sumi, High-quality Imaging System with CMOS Image Sensor: The First International Symposium on Information and Computer Elements ISICE 2007, Sep. 2007
  • H. Sumi, K. Hoshino and Y Yamashita. High-quality Imaging System with CMOS Image sensor and the Application of Digital Still Imaging: CLAIRVOYANCE, EOS Conference on Frontiers in Electronic Imaging, Munich, June 18-19, 2007
  • 角博文:「微細画素を有した多画素・高画質・高速CMOSイメージセンサー技術」 高周波 アナログビジネス研究会主催 第14回セミナー 2008年7月11日 キャンパスプラザ京都
  • 石川正俊 池田誠 角博文 太田淳 有本和民 清水徹: “光り輝く日本のイメージセンサ技術と その応用の今後の取組み” 映像情報メディア学会誌Vol 68, No1, pp12-20 (2014)

著書

  • デジタル画像における色再現技術と官能・定量評価:”第3章第2節:高画質イメージセンサ技術とその評価技術” 技術情報協会, 発行日2005年2月 第1版1刷 pp161-181
  • CMOSイメージセンサの最新動向―高性能化,高機能化から応用展開まで―“第3章 CMOSイメージセンサの高性能化” シーエムシー出版, 発行年月2007年4月, 監修 太田淳(奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科 教授)
  • 角博文:新製品開発における軽薄短小化への新技術 第1章 第12節 ”微細画素CMOSイメージセンサのタ画素、高画質、高速画像出力技術” 出版社:技術情報協会 2012年10月, pp 85-93

特許

US Patent

  • US20150021461 "Image sensor and electronic device”
  • US8149302 Method of processing noise in image data, nose reduction unit, and imaging apparatus
  • US20060094151 A1
  • US7825964
  • US8030726 B2 Solid-state image sensor and method for manufacturing thereof as well as semiconductor device and method for manufacturing thereof
  • US80308724 Solid-state image sensor and method for manufacturing
  • US7517713
  • US7830436 Method of controlling semiconductor device, signal processing method, semiconductor device, and electronic apparatus
  • US7531781 Method with image-taking portions optimize to detect separated wavelength components
  • US7414663 Imaging element, imaging device, camera module and camera system
  • US7375757
  • US6423993 Solid-stae image-sensing device and method for production
  • US6417023 Method for producing solid-state image-sensing device
  • US6022805 Method for fabrication semiconductor device with a multi-layered interconnection structure having a low contact resistance
  • US6022798 Method of forming an interconnect using thin folks of Ti and TiN
  • US5915204 Method of manufacturing a semiconductor device including a metal silicide layer
  • US5776830 Process for forming silicide plugs in semiconductor devices
  • US5686355 Method for forming films of refractory metal
  • US5597739 MOS transistor and method for making the same
  • US5308793 Method for forming interconnect
  • US5290731 Aluminum metallization method
  • US5194405 Method of manufacturing a semiconductor device having a silicide layer

日本特許

  • 特開2014-183788
  • 特開2014-139564
  • 特開2013-090233
  • 特開2013-090139
  • 特開2012-222649
  • 特開2011-119441
  • 特開2010-273385
  • 特開2010-259109
  • 特開2010-153896
  • 特開2010-109398
  • 特開2010-028143
  • 特開2010-028142
  • 特開2010-028141
  • 特開2008-199679
  • 特開2008-085753
  • 特開2006-238093
  • 特開2006-129298
  • 特開2006-128392
  • 特開2006-064634
  • 特開2005-175517
  • 特開2004-159061
  • 特開2003-230045
  • 特開2002-009032
  • 特開2001-284284
  • 特開2001-085659
  • 特開2001-085658
  • 特開2001-078064
  • 特開2001-053260
  • 特開2001-028433
  • 特開2000-299453
  • 特開2000-164707
  • 特開2000-156406
  • 特開2000-091417
  • 特開2000-031093
  • 特開平11-354465
他115件公開済み
1985年~2013年:400件以上出願済み

学会に於ける活動

  • 2004年~2010年までIEEE, International Solid State Circuits Conference(ISSCC)でのテクニカルコミッティを勤める。
  • 2009年~2010年までIEEE, Asian Solid State Circuts COnference(ASSCC)での委員を勤める。
  • 2006年~2014年までComputer elements workshop(旧IEEE 所属、現在USENIX所属) 委員を勤める。
  • 2010年~2013年まで映像情報メディア学会情報センシング研究会で幹事を勤める。
 
東京大学 情報理工学系研究科 システム情報学専攻 ・創造情報学専攻 / 工学部 計数工学科 石川妹尾研究室
Ishikawa Senoo Laboratory WWW admin: www-admin@k2.t.u-tokyo.ac.jp
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